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Si1970DH
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
T J = 150 °C
0. 8
0.6
I D = 1.4 A
1.0
T J = 25 °C
0.4
T A = 125 °C
0.2
T A = 25 °C
0.1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Forward Diode Voltage
I D = 250 μ A
5
4
3
2
1
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
1
Limited by R DS(on) *
100 μs
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
10 ms
100 ms
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS Limited
1 s, 10 s
DC
0.1
* V GS
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74343
S10-0721-Rev. B, 29-Mar-10
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